什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？
什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？
- 什么是GaN功率器件?
GaN是一種化合物半導(dǎo)體，使用這種GaN的晶體管就是被稱為“GaN HEMT”的功率器件。
與目前主流的半導(dǎo)體材料Si相比，采用GaN這種材料的功率器件具有導(dǎo)通損耗少（低導(dǎo)通電阻）和高速開關(guān)性能優(yōu)異的特點，能夠滿足市場對于提高功率轉(zhuǎn)換效率和小型化的需求。
- 什么是GaN？
GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）是由Ga（鎵）元素和N（氮）元素組成的化合物半導(dǎo)體材料。
化合物半導(dǎo)體是一種由兩種或兩種以上的元素結(jié)合在一起的半導(dǎo)體。。
- 什么是GaN HEMT？
GaN HEMT中的“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的首字母縮寫，意為“高電子遷移率晶體管”。
高電子遷移率晶體管是使用了電子遷移率高的半導(dǎo)體材料的晶體管，可實現(xiàn)高速開關(guān)（高頻工作）。
- 如何用好GaN功率器件
要想激發(fā)出GaN HEMT高速開關(guān)的性能，需要具備能夠得心應(yīng)手地使用GaN HEMT的技術(shù)，這一點非常重要。
具體而言，是需要超高速驅(qū)動?xùn)艠O驅(qū)動器IC和支持高速脈沖控制的控制器IC。
