ROHM Group

GaN功率器件

GaN（氮化鎵）是一種化合物半導體材料，作為下一代功率器件用的材料被寄予厚望。與以往的Si器件相比，其開關性能和高頻性能更加出色，因而在市場上的應用日益廣泛。
不僅如此，其導通電阻也低于Si器件，有望助力眾多應用實現更低功耗和小型化。

ROHM將有助于應用產品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并始終致力于進一步提高器件的性能。另外，ROHM不僅致力于元器件的開發(fā)，還與業(yè)內相關企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關系并推動聯(lián)合開發(fā)，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。
* EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

EcoGaN?

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